太赫兹Si/SiGe量子级联激光器的能带设计  

Energy Band Design for a Terahertz Si/SiGe Quantum Cascade Laser

作　　者：林桂江[1] 赖虹凯[1] 李成[1] 陈松岩[1] 余金中[1,2] 

机构地区：[1]厦门大学物理系,厦门大学半导体光子学研究中心 [2]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第5期916-920,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60576001;60336010);福建省青年科技人才创新基金(批准号:2004J021)资助项目~~

摘　　要：使用nextnano^3模拟软件计算Si／Si1-xGex／Si量子阱的能带结构，对Si／SiGe量子级联激光器有源区的能带结构进行设计，结果表明使用Ge组分为0．27～0．3，量子阱宽度为3nm的SiGe合金与垒宽为3nm的Si层构成对称应变级联异质结构，有利于优化THz Si／SiGe量子级联激光器结构。The eigenenergies of confined states in Si/SiGe/Si quantum wells are calculated with nextnano^3 software for the design of terahertz Si/SiGe QCLs. The results indicate that the structure of the Si/SiGe quantum cascade may be optimized by using a strain-symmetric heterostructure consisting of a Si1-xGex （0.27〈x〈0.3） well with a width of 3nm and a Si barrier with a width of 3nm.

关 键 词：SI/SIGE 量子级联激光器 子带阱间跃迁 nextnano^3 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]