BCD集成电路技术的研究与进展  

State-of-the-Art of BCD Technology and Its Developing Trends

作　　者：杨银堂[1] 朱海刚[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,陕西西安710071

出　　处：《微电子学》2006年第3期315-319,共5页Microelectronics

基　　金：国家自然科学基金(60476046);国家部委基金(51408010304DZ0140)资助项目

摘　　要：飞速增长的单芯片智能功率集成电路(SPIC)市场,极大地推动了BCD工艺的发展。文章简要论述了BCD集成电路技术给智能功率IC带来的优势,介绍了当今世界知名功率IC厂商的BCD集成电路技术。根据不同的应用,介绍了高压BCD、高功率BCD、VLSI-BCD、RF-BCD和SOI-BCD等五类工艺的特点及各自的发展标准;讨论了BCD技术的总体发展趋势。The rapidly growing market of monolithic smart power IC＇s （SPIC） greatly accelerates the evolution of BCD technology. Advantages of SPICes fabricated with BCD technology are summarized, and BCD technologies of some well-known SPIC companies are also presented. Based on different applications, 5 types of BCD technologies： high-voltage BCD, high-power BCD, VLSI-BCD, RF-BCD and SOI-BCD, and their characteristics, are described. Finally, the developing trends of the BCD technology is discussed.

关 键 词：BCD 智能功率集成电路 DMOS射频集成电路 SOI 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]