金刚石在C_(60)薄膜表面的气相成核  

作　　者：杨国伟[1] 刘大军 袁放成[1] 何金田 张兵临 毛友德[3] 

机构地区：[1]湘潭大学现代物理研究所,湘潭411105 [2]河南省基础与应用科学研究所,郑州450052 [3]合肥工业大学应用物理系,合肥230009

出　　处：《科学通报》1996年第13期1181-1184,共4页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家教委优秀年轻教师基金;湖南省自然科学基金资助项目

摘　　要：金刚石薄膜是一种性能优异的功能薄膜,比颗粒状金刚石材料有着更为广泛的应用领域,尤其是在光学和微电子学方面,因此近年来受到极大的关注。然而,在气相沉积金刚石薄膜中,金刚石在光滑非金刚石衬底表面难以成核。为了提高金刚石在光滑衬底上的成核密度,一般需要破坏衬底表面,使之布满宏观缺陷,如划痕、蚀坑等以提供成核点,或在衬底表面预沉积有助于金刚石成核的过渡层如DLC,β-SiC等。因此,寻找增强金刚石在光滑非金刚石衬底上成核的有效方法一直是近年来气相沉积金刚石研究的重要内容。最近,Meilunas等人发现Fuller烯中的C60,C70作为过渡层可以显著提高金刚石在光滑Si衬底表面的成核密度。由于Fuller烯是一种新型的光学和半导体材料,因此,研究Fuller烯表面气相生长金刚石薄膜不仅为增强光滑衬底表面上的成核提供了一种新方法,更为重要的是有可能为金刚石薄膜和Fuller烯提供新的应用领域。

关 键 词：金刚石 薄膜 碳60 气相生长 MWPCVD 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]