MOCVD激光诱导选择原子层外延(LALE)生长室的研究  

RESEARCH OF MOCVD LASER-ASSISTED ELECT ATOMIC LAYER EPITAXY REACTOR

作　　者：罗风光[1] 曹明翠[1] 李洪谱[1] 万安君[1] 徐军[1] 李再光[1] 

机构地区：[1]华中理工大学激光技术国家重点实验室,武汉430074

出　　处：《光子学报》1996年第4期318-321,共4页Acta Photonica Sinica

基　　金：电科院预研基金

摘　　要：本文对 MOCVD 激光诱导选择原子层外延进行了研究,设计并制作了一种激光诱导原子层外延生长室结构,该系统能实现低温 MOCVD 生产,可形成稳定的层流,易于生长均匀的外延层,通过激光诱导可实现选择性的原子层外延.MOCVD laser-assisted elect atomic layer epitaxy is studied in this paper.A kind of construction of the reactor for laser-assissed atomic layer epitaxy is designed and fabricated.MOCVD epitaxy layer with uniform and lower temperature can be performed.Elect atomic layer epitaxy with laser-assisted can be realized.

关 键 词：MOCVD 激光诱导 选择原子层 外延生长 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]