低压ZnO压敏电阻中Bi_2O_3-TiO_2相变过程的研究  

Bi_2O_3-TiO_2 Phase Variation in Low-Voltage ZnO Varistor

作　　者：许业文[1] 范卓维[1] 徐政[1] 孙丹峰[2] 

机构地区：[1]同济大学材料科学与工程学院 [2]苏州中普电子有限公司,苏州215011

出　　处：《硅酸盐通报》2006年第3期58-61,67,共5页Bulletin of the Chinese Ceramic Society

摘　　要：在最高温度950℃、1050℃、1150℃、1250℃4个温度下,采用2种配方:98.3%ZnO-0.7%Bi2O3-1.0%TiO2(摩尔分数),相应的无TiO2配方99.3%ZnO-0.7%Bi2O3(摩尔分数),分别制备样品进行对比研究。发现前者在950℃和1050℃的烧结温度下,没有形成明显Bi2O3偏聚的晶界;在1150℃和1250℃下,却形成了清晰的富铋晶界。而后者在950℃、1050℃、1150℃、1250℃4个温度下均形成了非常明显且清晰可辨的ZnO晶粒和晶界。通过XRD及相对峰强分析,发现了Bi2O3和TiO2在低压ZnO压敏电阻中的相变过程,并对其在烧结过程中的作用提出新的解释。Two different sample system were studied ：98.3% ZnO-0.7% Bi2O3-1.0% TiO2 （in mole） and relevantly without TiO2 99, 3% ZnO-0. 7% Bi203 （in mole） sintered at 950℃, 1050℃ , 1150℃ and 1250℃. According to SEM, in ZnO-BiEO3-TiO2 system , at 950℃ and 1050℃, BiEO3-rich grain boundary is not clear. But at 1150℃ and 1250℃, clear grain boundary formed. In ZnO-Bi2O3, clear grain boundary formed above 950℃. With XRD analysis, a complicated phase variation during sintering and a new explanation on the influence of Bi2O3 and TiO2 is revealed.

关 键 词：低压氧化锌压敏电阻 烧成温度 氧化铋 二氧化钛 晶粒晶界 

分 类 号：TQ586.1[化学工程—精细化工] TN304.93[电子电信—物理电子学]