低压氧化锌压敏电阻

作品数：3被引量：11H指数：2
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相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>
相关作者：周东祥龚树萍张丛春王茂华胡克鳌更多>>
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相关期刊：《硅酸盐通报》《压电与声光》《材料科学与工程学报》更多>>
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低压ZnO压敏电阻中Bi_2O_3-TiO_2相变过程的研究被引量：1
《硅酸盐通报》2006年第3期58-61,67,共5页许业文 范卓维 徐政 孙丹峰 
在最高温度950℃、1050℃、1150℃、1250℃4个温度下,采用2种配方:98.3%ZnO-0.7%Bi2O3-1.0%TiO2(摩尔分数),相应的无TiO2配方99.3%ZnO-0.7%Bi2O3(摩尔分数),分别制备样品进行对比研究。发现前者在950℃和1050℃的烧结温度下,没有形成明...
关键词：低压氧化锌压敏电阻 烧成温度 氧化铋 二氧化钛 晶粒晶界 
Y_2O_3掺杂对低压氧化锌压敏电阻材料结构和电学性能的影响被引量：2
《材料科学与工程学报》2005年第6期789-791,共3页王茂华 胡克鳌 赵斌元 张南法 
通过掺杂研究了微量Y2O3对低压氧化锌压敏电阻的电性能影响,并采用SEM测试手段对其微观组织结构进行了分析研究,从理论上探讨了Y2O3影响低压氧化锌压敏电阻电性能与组织的机理.研究结果表明,在0～0.07%(摩尔分数)掺杂范围内,随着Y2O3含...
关键词：低压氧化锌压敏电阻 Y2O3 电性能 显微结构 
TiO_2掺杂对低压ZnO压敏电阻性能的影响被引量：8
《压电与声光》2001年第3期195-197,共3页张丛春 周东祥 龚树萍 
研究了 Ti O2 掺杂量及制备工艺对 Zn O压敏电阻性能的影响。Ti O2 掺杂超过一定量时 ,压敏场强就不再降低 ,而非线性系数却一直下降 ,漏流迅速增大 ,使性能劣化。因此 ,要控制 Ti O2 掺杂量在适当范围内。粉料煅烧温度和烧成温度的高...
关键词：低压氧化锌压敏电阻 性能 掺杂 氧化钛 半导体器件 
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