三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜巨磁阻抗效应研究  

Giant magneto-impedance in sandwiched FeNi/Cu/FeNi films

作　　者：周勇[1] 丁文[1] 曹莹[1] 商干兵[1] 周志敏[1] 高孝裕[1] 余先育[1] 

机构地区：[1]上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海200030

出　　处：《功能材料与器件学报》2006年第3期182-186,共5页Journal of Functional Materials and Devices

基　　金：教育部科学技术研究重大项目(No.0307);国家高技术研究发展计划863项目(No.2004AA302042);国家自然科学基金项目(No.50275096);(No.10402023);上海市纳米专项(No.0352nm014)的资助

摘　　要：采用MEMS技术在玻璃基片上制备了三明治结构FeNi／Cu／FeNi多层膜，在1—40MHz范围内研究了FeNi／Cu／FeNi多层膜中的巨磁阻抗效应特性。当磁场日。施加在薄膜的长方向时，巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加，在某一磁场下达到最大值，然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应。在频率为5MHz时，巨磁阻抗效应在磁场以：800A／m时达到最大值26．6％。巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及发散有关。另外，当磁场施加在薄膜的短方向时，薄膜表现出负的巨磁阻抗效应，在频率5MHz、磁场Ha=9600A／m时，巨磁阻抗效应可达-15．6％。Sandwiched FeNi/Cu/FeNi films were prepared by MEMS （Microelectromechanical Systems） technique on glass substrate. The giant magneto - impedance （GMI） effect was investigated in the frequency range of 1 - 40 MHz. With magnetic field Ha applied along the longitudinal direction of the sample, the GMI ratio increases with Ha, reaching a positive maximum value at a certain field and then decreases to the negative GMI ratio with further increase of Ha. At a frequency of 5 MHz, the positive maximum GMI ratio is 26.6% for Ha = 800 A/m. In addition, with the magnetic field applied along the transverse direction, the GMI ratio is negative and a negative GMI ratio, -15.6% is obtained at 5 MHz for Ha = 9600 A/m.

关 键 词：巨磁阻抗效应 三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜 MEMS技术 

分 类 号：O484.43[理学—固体物理]