超细碳化硅中游离碳的测定  

Determination of Free Carbon in Ultrafine Silicon Carbide Powder

作　　者：陈名浩[1] 沈汝美[1] 艾星涛[1] 邱瑞青 

机构地区：[1]冶金部钢铁研究总院,北京100081

出　　处：《分析化学》1996年第9期1039-1042,共4页Chinese Journal of Analytical Chemistry

基　　金：国家863高新技术资助

摘　　要：通过加热氧化并电位滴定产生的CO2，分析超细碳化硅粉中游离碳，对部分碳化硅和游离硅同时被氧化的干扰，提出了新的校正方法和计算式，测定精度RSD≤5．1％相对误差≤6．2％。With thermooxidation and potentiometric titration of CO2 produced,the free carbon in SiC ultrafine powder was dertermined. A new correction and calculation formula was proposed to overcome the interference due to simultaneous oxidation of partial SiC and free silicon. RSD≤5. 1% and relative error e≤6. 2 % were obtained.

关 键 词：碳化硅 超细碳化硅 游离碳 电位滴定 陶瓷 

分 类 号：TQ174.758[化学工程—陶瓷工业] O657.1[化学工程—硅酸盐工业]