InGaN/GaN多量子阱蓝光LED电学特性研究  

Electrical Characteristics of InGaN/GaN MQW Blue Light-emitting Diodes

作　　者：刘诗文[1] 郭霞[1] 艾伟伟[1] 宋颖娉[1] 顾晓玲[1] 张蕾[1] 沈光地[1] 

机构地区：[1]北京工业大学北京光电子技术实验室,北京100022

出　　处：《半导体光电》2006年第3期240-243,共4页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家"973"计划项目(20000683-02);北京市教委项目(2002kj018);北工大博士启动基金项目(kz0204200387);国家自然科学基金项目(60407009);北京自然科学基金项目(4032007)

摘　　要：对不同温度（120～363K）下InGaN／GaN多量子阱（MQW）结构蓝光发光二极管（LED）的电学特性进行了测试与深入的研究。发现对数坐标下I—V特性曲线斜率随温度变化不大。分别用载流子扩散-复合模型和隧道复合模型对其进行计算，发现室温下其理想因子远大于2，并且随着温度的下降而升高；而隧穿能量参数随温度变化不大。这说明传统的扩散一复合栽流子输运模型不再适用于InGaN／GaNMQW蓝光LED。分析指出由于晶格失配以及生长工艺的制约，外延层中具有较高的缺陷密度和界面能级密度，导致其主要输运机制为栽流子的隧穿。The electrical characteristics of InGaN/GaN multiple quantum well （MQW） light-emitting diodes （LEDs） are investigated at different temperatures. The slope of the I-V characteristics in a semilogarithmic scale almost doesn＇t depend on the temperature. According to the diffusion-recombination model and the tunneling-recombination model, the ideality factor is greater than 2.0 at room temperature,and increases with the decrease of the temperature, while the tunneling energy parameter almost dosen＇t change. This indicates that the carrier main transport mechanism of InGaN/GaN MQW LEDs is not the diffusion-recombination model. It appears that the tunneling behavior dominates throughout all injection regimes in the device because of high density of defects caused by the lattice mismatch and the restriction of epitaxial growth.

关 键 词：氮化镓 蓝光发光二极管 理想因子 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]