垂直凝固法（VF）生长砷化镓单晶  

作　　者：宋萍[1] 王永鸿[1] 马碧春[1] 濮玉梅 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院

出　　处：《稀有金属》1996年第5期389-390,共2页Chinese Journal of Rare Metals

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：垂直凝固法（ＶＦ）生长砷化镓单晶宋萍王永鸿马碧春濮玉梅（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：垂直凝固法（ＶＦ）砷化镓（一）引言砷化镓等Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料在高速发展的电子领域中起着重要的作用。电子器件的需求不断推动着单晶生长技术的发展。而...

关 键 词：垂直凝固法 砷化镓 单晶 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]