马碧春

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供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文主题：砷化镓单晶位错半绝缘体半绝缘更多>>
发文领域：电子电信自然科学总论更多>>
发文期刊：《烟台大学学报（自然科学与工程版）》《稀有金属》《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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激光/微波光电导衰减技术研究半绝缘GaAs复合寿命的分布
《稀有金属》1998年第6期450-451,共2页屠海令 张峰翊 王永鸿 钱嘉裕 马碧春 
采用非接触式激光／微波光电导衰减技术（ＬＭＰＣＤ）对Φ５０．８ｍｍ双面抛光的半绝缘ＧａＡｓ晶片的复合寿命进行了无损伤检测，得到了有效载流子寿命沿晶片直径的径向分布曲线。结果表明，复合寿命为几百纳秒，在径向呈“Ｍ”型...
关键词：复合寿命 半绝缘 砷化镓 LM-PCD 
垂直凝固法（VF）生长砷化镓单晶
《稀有金属》1996年第5期389-390,共2页宋萍 王永鸿 马碧春 濮玉梅 
国家自然科学基金
垂直凝固法（ＶＦ）生长砷化镓单晶宋萍王永鸿马碧春濮玉梅（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：垂直凝固法（ＶＦ）砷化镓（一）引言砷化镓等Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料在高速发展的电子领域中起着重要的作用。电子器件的需...
关键词：垂直凝固法 砷化镓 单晶 
γ辐照的半绝缘GaAs：Cr的电子顺磁共振研究
《Journal of Semiconductors》1994年第4期261-263,共3页傅济时 朱美栋 毛晋昌 吴恩 秦国刚 魏根栓 张钰华 王永鸿 马碧春 
国家自然科学基金
本文报道γ辐照的ＧａＡｓ：Ｃｒ的光激发电子顺磁共振（ＥＰＲ）研究结果．实验结果表明γ辐照不仅改变了其内硅谱线的光淬灭特性，同时还产生一条ｇ值为２．０８、线宽约３×１０－２Ｔ无光淬灭特性的新谱线，初步分析表明它可能来自...
关键词：r辐射 顺磁共振 GaAs:Cr 
GaAs:Cr中的Cr^(4+)(3d^2 )态的光激发电子顺磁共振研究
《Journal of Semiconductors》1991年第2期125-128,共4页毛晋昌 傅济时 吴恩 秦国刚 王永鸿 马碧春 
本文报道GaAs∶Cr中Cr^(4+)(3d^2)态的光激发电子顺磁共振(EPR)研究结果.实验表明,Cr_(4+)的EPR信号强度对温度关系在20-30K间达极大值.中子辐照能抑制Cr^(4+)的EPR信号,但对Cr^(2+)的EPR信号基本无影响.实验首次发现Cr^(4+)EPR信号在...
关键词：砷化镓 深能级 电子 顺磁共振 
GaAs单晶滑移位错X射线形貌术研究
《物理学报》1989年第8期1344-1347,T001,T002,共6页麦振洪 葛培文 何杰 崔树范 贺楚光 马碧春 陈坚邦 王永鸿 
应用X射线形貌技术研究了掺In和不掺In砷化镓单晶的滑移位错。观察到由于位错密度不同,其滑移位错的组态不同。对滑移位错和胞状网络进行了初步的理论解释。
关键词：砷化镓 单晶 位错 X射线 形貌术 
纵、横声学支声子耦合效应的研究
《烟台大学学报（自然科学与工程版）》1989年第1期40-45,共6页沈志工 林泉 王永鸿 马碧春 
本文采用中子非弹性相干散射获得GaAs单晶沿三个高对称方向传播之所有纵声支(LA)和横声支(TA)的声速,以及独立的弹性常数:C_(11)=12.20,C_(12)=5.60,C_(44)=5.86(×10^(11)dyn/cm^2)。并根据“一级空间色散”唯象理论,讨论了Td点群类晶...
关键词：中子非弹性相干散射 纵声支 横声支 振动模式 空间色散 耦合效应 旋声性 线偏振 
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