γ辐照的半绝缘GaAs：Cr的电子顺磁共振研究  

EPR Study of Gamma-Ray Irradiated Semi-Insulated GaAs:Cr

作　　者：傅济时[1] 朱美栋[1] 毛晋昌[1] 吴恩[1] 秦国刚[1] 魏根栓[1] 张钰华[1] 王永鸿[1] 马碧春[1] 

机构地区：[1]北京大学物理系,北京大学技术物理系,北京有色金属研究总院

出　　处：《Journal of Semiconductors》1994年第4期261-263,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文报道γ辐照的ＧａＡｓ：Ｃｒ的光激发电子顺磁共振（ＥＰＲ）研究结果．实验结果表明γ辐照不仅改变了其内硅谱线的光淬灭特性，同时还产生一条ｇ值为２．０８、线宽约３×１０－２Ｔ无光淬灭特性的新谱线，初步分析表明它可能来自于砷空位（ＶＡｓ）．Abstract The EPR study of gamma-ray irradioted SI GaAs:Cr is reported.The.experimental results show that gamma irradiations not only change the photo-quenching behavior of Si line but also induce a new spectrum of g=2.08 and linewidth3×10(-2)T. The new spectrum is isotropic and has no photo-quenching beharior.Our preliminary Stady Shows that the new spectrum may be related to the VAs.

关 键 词：r辐射 顺磁共振 GaAs:Cr 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学]