张峰翊

作品数：10被引量：37H指数：4
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供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文主题：数值模拟砷化镓单晶硅提拉法GAAS晶体更多>>
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发文期刊：《北京同步辐射装置年报》《稀有金属》《人工晶体学报》《无机材料学报》更多>>
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运用数值模拟技术改进VGF法生长GaAs晶体被引量：4
《人工晶体学报》2008年第5期1056-1059,共4页詹琳 苏小平 张峰翊 李金权 
“863”国际重大合作项目(No.2002AAF3102)
在VGF法生长GaAs晶体的过程中固液界面凹向晶体,很容易在坩埚圆锥面处生长多晶。本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对实验温场进行了计算机模拟并提出改进方案,把底加热器取消并在坩埚底部加入氦气冷源,底部结构类似于热交换法系统...
关键词：数值模拟 VGF法 固液界面 GAAS 
气体湍流对泡生法生长蓝宝石单晶温场的影响被引量：2
《人工晶体学报》2008年第1期236-239,247,共5页李金权 苏小平 那木吉拉图 黎建明 张峰翊 李楠 杨海 
本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对泡生法生长大尺寸蓝宝石单晶进行了计算机模拟。分析了气体压力对泡生法生长蓝宝石单晶的温场、气体速度场的影响。结果发现在气压P≥105Pa时,特别是在引晶初期,容易出现籽晶根部熔化,这在实验中...
关键词：气体对流 温场 蓝宝石单晶 数值模拟 
勾形磁场下直径300mm CZ Si熔体中氧浓度分布的数值模拟被引量：5
《Journal of Semiconductors》2005年第3期517-523,共7页宇慧平 隋允康 张峰翊 常新安 
北京工业大学青年科技基金资助项目(批准号:JQ0105200372)~~
采用低雷诺数K-ε紊流模型，考虑自然对流、晶体旋转和坩埚旋转等因素，对晶体直径为300mm，磁场强度变化范围在0～0．12T条件下，熔体硅内流场及氧的浓度分布、磁场分布等作了数值模拟．计算中采用有限体积法，运用SIMPLE(semi—implic...
关键词：单晶硅 勾形磁场 氧浓度 紊流模型 
φ300mm的大直径直拉单晶硅勾形磁场下生长的数值模拟被引量：12
《无机材料学报》2005年第2期453-458,共6页宇慧平 隋允康 张峰翊 常新安 安国平 
北京工业大学青年科技基金(JQ0105200372)
直径300mm硅片的生产技术是当今硅材料生产研究的重要方向之一,而晶体生长 界面的形状、温度分布、晶体中氧的浓度和均匀性等对熔体流动状态十分敏感,采用实验的方 法来测量熔体的流动、温度场分布是很困难的,因此很难通过实验的方法获...
关键词：直拉法 勾形磁场 数值模拟 
紊流模型模拟分析旋转对提拉大直径单晶硅的影响被引量：3
《人工晶体学报》2004年第5期835-840,共6页宇慧平 隋允康 张峰翊 常新安 安国平 
北京工业大学青年科技基金(No.JQ0105200372)
本文采用紊流模型对提拉大直径单晶硅时,对晶体旋转、坩埚旋转及二者共同作用三种情况下,熔体内的流线、等温线、氧的浓度分布、紊流粘性系数、紊动能等作了数值模拟,发现晶体的旋转能提高氧的径向均匀性,紊流粘性系数和紊动能随着坩埚...
关键词：紊流模型 模拟分析 晶体旋转 提拉法 单晶硅 坩埚旋转 
勾形磁场下提拉法生产单晶硅的数值模拟被引量：11
《人工晶体学报》2004年第2期217-222,共6页宇慧平 隋允康 张峰翊 王学锋 
北京工业大学青年科技基金(JQ01005200372)资助项目
本文给出了提拉单晶硅时,勾形磁场强度的计算公式,并对单晶硅在有无勾形磁场情况下熔体内流场和氧的浓度分布进行了数值模拟,计算出磁场作用下磁场强度和洛伦兹力及有无磁场时流函数、垂直截面处的速度场和氧的浓度分布。通过分析表明,...
关键词：单晶硅 提拉法 勾形磁场 磁场强度 计算公式 洛伦兹力 
采用延时修正法实施QUICK格式模拟提拉单晶体的生长被引量：4
《人工晶体学报》2003年第6期648-656,共9页宇慧平 隋允康 张峰翊 王学锋 
北京工业大学青年科技基金(JQ0105200372)
为了数值模拟提拉(又名Czochralski)法获得单晶体的生长过程,本文采用有限容积法离散控制方程,采用非均匀的交错网格避免不合理的振荡压力场,采用三阶精度QUICK(Quadratic Upwind Interpolation of Convective Kinematics)格式离散对流...
关键词：QUICK格式 提拉法 单晶体 晶体生长 延时修正法 数值模拟 
高温退火过程中As压对SI—GaAs化学配比的影响
《北京同步辐射装置年报》1998年第1期233-236,共4页张峰翊 黄宇营 
通过同步X光荧光（SXRF）成分分析，定性地研究了在0．5atm、0.6atm、0.7atm As压下1150℃进行退火处理后衬底化学与比的变化。结果表明：控制As压可以改变化学配比，在足够As压下的高温退火将改善化学配比均匀性。
关键词：高温退火 半绝缘GAAS As压 化学配比 X光荧光分析 砷化镓 半导体 
GaAs晶体位错缺陷的同步X光透射形貌研究
《北京同步辐射装置年报》1998年第1期33-35,共3页张峰翊 田玉莲 等 
利用同步X光透射形貌技术，研究了液封直拉（LEC）、水平布里支曼（HB）、垂直梯度凝固（VGF）三种生长技术制备的Φ2"晶片的位错缺陷。发现LEC晶体中缺陷明显高于HB、VGF晶体，VGF缺陷缺陷最低，HB晶体居于两者之间。结合生长界面温度...
关键词：位错 X光形貌 GAAS晶体 半导体 生长工艺 液封直拉 水平布里支曼 垂直梯度凝固 缺陷 
激光/微波光电导衰减技术研究半绝缘GaAs复合寿命的分布
《稀有金属》1998年第6期450-451,共2页屠海令 张峰翊 王永鸿 钱嘉裕 马碧春 
采用非接触式激光／微波光电导衰减技术（ＬＭＰＣＤ）对Φ５０．８ｍｍ双面抛光的半绝缘ＧａＡｓ晶片的复合寿命进行了无损伤检测，得到了有效载流子寿命沿晶片直径的径向分布曲线。结果表明，复合寿命为几百纳秒，在径向呈“Ｍ”型...
关键词：复合寿命 半绝缘 砷化镓 LM-PCD 
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