高温退火过程中As压对SI—GaAs化学配比的影响  

作　　者：张峰翊[1] 黄宇营[2] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院国家半导体中心 [2]同步辐射室荧光站、中科院高能物理所

出　　处：《北京同步辐射装置年报》1998年第1期233-236,共4页

摘　　要：通过同步X光荧光（SXRF）成分分析，定性地研究了在0．5atm、0.6atm、0.7atm As压下1150℃进行退火处理后衬底化学与比的变化。结果表明：控制As压可以改变化学配比，在足够As压下的高温退火将改善化学配比均匀性。

关 键 词：高温退火 半绝缘GAAS As压 化学配比 X光荧光分析 砷化镓 半导体 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]