GaAs晶体位错缺陷的同步X光透射形貌研究  

作　　者：张峰翊[1] 田玉莲[2] 等 

机构地区：[1]国家半导体材料工程研究中心，北京有色金属研究总院，北京100088 [2]同步辐射室形貌站、中科院高能物理所

出　　处：《北京同步辐射装置年报》1998年第1期33-35,共3页

摘　　要：利用同步X光透射形貌技术，研究了液封直拉（LEC）、水平布里支曼（HB）、垂直梯度凝固（VGF）三种生长技术制备的Φ2"晶片的位错缺陷。发现LEC晶体中缺陷明显高于HB、VGF晶体，VGF缺陷缺陷最低，HB晶体居于两者之间。结合生长界面温度梯度和杂质掺入水平，讨论了位错分布差异的原因。

关 键 词：位错 X光形貌 GAAS晶体 半导体 生长工艺 液封直拉 水平布里支曼 垂直梯度凝固 缺陷 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] O474[理学—半导体物理]