超细SiC粉的组分分析和纯度评估  

Analysis and Evaluation on Ultrafine Silicon Carbide Powders

作　　者：沈汝美[1] 陈名浩[1] 艾星涛[1] 

机构地区：[1]冶金部钢铁研究总院

出　　处：《钢铁研究学报》1996年第6期42-46,共5页Journal of Iron and Steel Research

基　　金：国家863高技术资助

摘　　要：探讨了电弧等离子体气相反应合成的ＳｉＣ超细粉主要组分及杂质的分析方法，总硅－高氯酸脱水重量法，总碳－高频感应红外吸收法，游离硅－逸氢热导法，游离碳－差热电位滴定法，氯－原子吸收法，金属杂质－ＩＣＰ法，氧－程序升温红外检测，并用ＡＥＳ和ＦＴ－ＩＲ作粉体表面氧分析。根据碳、硅和氧的状态分析结果，拟订出正确评估ＳｉＣ纯度的方法。对超细粉放置增氧机制作了探讨。The methods for analysing the main component(silicon, carbon in Si-C combined form) and impurities,which include silicon and carbon in free state,chlorine, metallic ions and different state oxygen,have been investigated. Oxygen species and their distribution on the surface of SiC powders are analysed by AES and FT-IR. The purity evaluation of ultrafine powder SiC and the mechanism of oxygen growth are discussed.

关 键 词：碳化硅 组分 纯度 超细粉末 

分 类 号：TF122[冶金工程—粉末冶金]