RF MEMS开关在牺牲层工艺上的改进  被引量:1

Improvement of RF MEMS switch in sacrificial layer process

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作  者:蔡描[1] 郭兴龙[1] 刘蕾[1] 陈瑾瑾[1] 赖宗声[1] 

机构地区:[1]华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海200062

出  处:《传感器与微系统》2006年第7期40-42,共3页Transducer and Microsystem Technologies

基  金:上海市科委AM基金资助项目(AM0301)

摘  要:通过对传统的RF MEMS开关采取在信号线上电镀桥墩、改进桥梁的形状以及在桥背面设计接触点的新颖方法,使得RF MEMS开关的下拉电压减小、开关时间缩短和可靠性提高。在工艺上,特别采用了对聚酰亚胺牺牲层进行全刻蚀和半刻蚀的改进加工流程来实现桥背面的接触点。测试结果表明:开关的下拉电压为28V,最低开关时间为0.8μs,开关寿命达7×10^5次,0~10GHz的插入损耗在0~0.5dB,隔离度为35~45dB。Some novel improvements, such as electroplating the pier on the signal line, remodeling the shape of membrane and designing contact bulges under the bridge are used to reduce the pull-down DC voltage, shorten the switching time and enhance the reliability of RF MEMS switch. The contact bulges under the bridge are achieved by the full etching and partial etching of the polyimide sacrificial layer. The results are obtained through this processing with 28 VDC of decreased pull-down voltage,almost 7×10^5 times of the switch lifetime,0.8μs of the lowest switching time,0 - 0.5 dB of the insertion loss and 35 - 45 dB of the isolation loss under 10 GHz.

关 键 词:射频微机械开关 聚酰亚胺 全刻蚀 半刻蚀 

分 类 号:TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]

 

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