氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线及其发光特性  

作　　者：薛成山[1] 吴玉新[1] 庄惠照[1] 田德恒[1] 刘亦安[1] 何建廷[1] 艾玉杰[1] 孙莉莉[1] 王福学[1] 

机构地区：[1]山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,济南250014

出　　处：《科学通报》2006年第13期1500-1503,共4页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金（批准号：90201025,90301002）资助项目.

摘　　要：利用射频磁控溅射技术在Si（111）衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线.X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明,制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现,纳米线具有十分光滑且干净的表面,其直径为40～160 nm左右,典型的纳米线长达几十微米.室温下以300 nm波长的光激发样品表面,显示出较强的363 nm的紫外光发射和422 nm处的紫光发射.另外,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.

关 键 词：磁控溅射 氮化镓纳米线 光致发光 

分 类 号：O484.41[理学—固体物理]