刘亦安

作品数：13被引量：13H指数：2
导出分析报告
供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所更多>>
发文主题：GAN磁控溅射光致发光溶胶-凝胶法氨化更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术冶金工程更多>>
发文期刊：《电子元件与材料》《科学通报》《微纳电子技术》《微细加工技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金山东省优秀中青年科学家科研奖励基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
退火温度对硅基GaN薄膜质量的影响被引量：1
《固体电子学研究与进展》2007年第4期472-475,共4页吴玉新 薛成山 庄惠照 田德恒 刘亦安 何建廷 艾玉杰 孙莉莉 王福学 
国家自然科学基金(90301002);国家自然科学基金重大研究计划(90201025)
采用电泳沉积法在Si(111)衬底上制备GaN薄膜,并研究退火温度对GaN薄膜晶体质量、表面形貌和发光特性的影响。傅立叶红外吸收谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)的测试结果表明所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜,随退火温度...
关键词：氮化镓薄膜 电泳沉积 退火温度 光致发光 
溶胶-凝胶法制备GaN颗粒
《稀有金属材料与工程》2006年第A02期378-380,共3页刘亦安 薛成山 庄惠照 张晓凯 田德恒 吴玉新 孙莉莉 艾玉杰 王福学 
国家自然基金重大研究项目(90201025;90301002)
以醇酸镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶．凝胶法和高温氨化法相结合,成功的合成了GaN粉末。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、光致发光谱(PL)对粉末的结构、形貌和发光特性进行了表征。结果表明:在950℃时...
关键词：溶胶-凝胶法 氨化 GaN晶粒 
氨化磁控溅射Ga_2O_3／BN薄膜制备GaN纳米棒
《稀有金属材料与工程》2006年第A02期129-132,共4页吴玉新 薛成山 庄惠照 田德恒 刘亦安 孙莉莉 王福学 艾玉杰 
国家自然科学基金重大研究计划(90201025);国家自然科学基金资助项目(90301002)
利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3／BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒。用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品...
关键词：磁控溅射 氨化 氮化镓纳米棒 光致发光 
电泳沉积法制备GaN薄膜的结构和组分分析被引量：3
《功能材料》2006年第9期1420-1422,共3页吴玉新 薛成山 庄惠照 田德恒 刘亦安 何建廷 
国家自然科学基金资助项目(90301002);国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90201025)
采用电泳沉积法在Si(111)衬底上制备出了GaN薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收(FTIR)谱、X射线光电子能谱(XPS)和扫描电镜(SEM)对样品的结构、组分和形貌进行了分析。结果显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜。
关键词：氮化镓薄膜 SI衬底 电泳沉积 六方纤锌矿结构 
氮化镓粉末的溶胶凝胶法制备及其结构被引量：2
《物理化学学报》2006年第6期657-660,共4页刘亦安 薛成山 庄惠照 张晓凯 田德恒 吴玉新 孙莉莉 艾玉杰 王福学 
国家自然科学基金重大项目(90201025;90301002)资助
报道了一种新颖而有效的二步制备氮化镓粉末的方法.以乙氧基镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶-凝胶法和高温氨化法相结合,在950℃氨化温度下,将凝胶与流动的NH3反应20min,合成了GaN粉末.XRD、FTIR、TEM及SAED的测量结果表明,GaN粉末是六...
关键词：溶胶-凝胶法 氨化温度 GaN粉末 
脉冲激光沉积方法生长硅基ZnO薄膜的特性(英文)被引量：1
《功能材料》2006年第6期978-980,985,共4页何建廷 庄惠照 薛成山 田德恒 吴玉新 刘亦安 胡丽君 薛守斌 
ThisworkissupportedbyNationalNatureScienceFoundationofChina(90301002,90201025)
用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)在2θ=34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽为0.75°;傅里叶红外吸收(FTIR)在414.92cm-1附近出现了对应Zn—O键的红外光谱的特征吸收峰;光致发光(PL)测量发现了位于370...
关键词：PLD ZNO 薄膜 六方纤锌矿结构 
氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线及其发光特性被引量：1
《科学通报》2006年第13期1500-1503,共4页薛成山 吴玉新 庄惠照 田德恒 刘亦安 何建廷 艾玉杰 孙莉莉 王福学 
国家自然科学基金（批准号：90201025,90301002）资助项目.
利用射频磁控溅射技术在Si（111）衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线.X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明,制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射...
关键词：磁控溅射 氮化镓纳米线 光致发光 
脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展被引量：2
《电子元件与材料》2006年第5期9-12,共4页何建廷 庄惠照 薛成山 田德恒 吴玉新 赵婧 刘亦安 薛守斌 胡丽君 
国家自然科学基金资助项目(No.90301002;90201025)
基于氧化锌薄膜紫外光发光的实现,ZnO薄膜成为新的研究热点。综述了各种沉积条件对脉冲激光沉积(PLD)技术生长的氧化锌薄膜的微结构、光学和电学性质的影响,ZnO薄膜的厚度在超过400 nm时,呈现出了近似块状的性质。采用PLD技术,可以在适...
关键词：半导体技术 脉冲激光沉积 综述 氧化锌薄膜 衬底温度 氧分压 
高温氨化合成GaN微晶
《微细加工技术》2006年第2期37-40,44,共5页刘亦安 薛成山 庄惠照 何建廷 吴玉新 田德恒 孙莉莉 艾玉杰 王福学 
国家自然基金重大研究项目资助(90201025;90301002)
分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途...
关键词：氨化 Ga源温度 合成 GaN晶粒 
sol-gel法制备GaN纳米棒的研究被引量：1
《电子元件与材料》2005年第11期13-15,共3页吴玉新 薛成山 庄惠照 田德恒 刘亦安 张晓凯 艾玉杰 孙莉莉 王福学 
国家自然科学基金资助项目(90201025;90301002)
采用简单、有效的sol-gel法在1 000℃时通过氧化镓凝胶和氨气反应成功合成了GaN纳米棒。XRD和SAED的测试结果表明,GaN纳米棒为六方纤锌矿结构。用TEM观察发现,大部分GaN纳米棒平直而光滑,直径为200 nm^1.8μm,最长的纳米棒达几十微米。...
关键词：半导体技术 GAN纳米棒 SOL-GEL法 光致发光 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部