电泳沉积法制备GaN薄膜的结构和组分分析  

Preparation and structural properties of GaN films grown by electrophoretic deposition technique

作　　者：吴玉新[1] 薛成山[1] 庄惠照[1] 田德恒[1] 刘亦安[1] 何建廷[1] 

机构地区：[1]山东师范大学半导体研究所,山东济南250014

出　　处：《功能材料》2006年第9期1420-1422,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(90301002);国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90201025)

摘　　要：采用电泳沉积法在Si(111)衬底上制备出了GaN薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收(FTIR)谱、X射线光电子能谱(XPS)和扫描电镜(SEM)对样品的结构、组分和形貌进行了分析。结果显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜。GaN thin films were prepared on Si（111） suhstrates by eleetrophoretie deposition （EPD） technique. Measurement results by X-ray diffraction （XRD）, Fourier transform infrared （FTIR） spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy （XPS） indicate that the polycrystalline GaN films with hexagonal wurtzite structure were successfully grown on the Si（111） substrates. The surface morphology of the as-prepared GaN films was examined by scanning electron microscopy （SEM）.

关 键 词：氮化镓薄膜 SI衬底 电泳沉积 六方纤锌矿结构 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]