脉冲激光沉积氮化铝薄膜的电学性能研究  

Electrical properties of AlN films prepared by pulsed laser deposition

作　　者：门传玲[1] 林成鲁[2] 

机构地区：[1]上海理工大学动力学院,上海200093 [2]中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

出　　处：《功能材料与器件学报》2006年第4期264-268,共5页Journal of Functional Materials and Devices

基　　金：国家重点基础研究专项经费(No.G20000365);国家自然科学基金(No.69976034No.90101012)资助

摘　　要：采用脉冲激光沉积(PLD)技术在硅片上合成了A lN薄膜。X射线衍射(XRD)结果证实制备的A lN薄膜具有(002)择优取向的六方纤锌矿晶体结构,并且结晶质量随Si衬底温度的提高而改善。电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)、极化曲线结果表明室温生长的A lN薄膜的击穿场强约2.5MV/cm,同时呈现明显的极化现象(类铁电),对应矫顽场强为150kV/cm,剩余极化为0.002C/m2。晶态A lN存在较强的自发极化,薄膜中可动电荷密度高,据此提出了动态电荷模型,指出较大的A lN薄膜极化回线是由于可动电荷在电场中的再分布形成的,因而有别于铁电材料。AlN films were synthesized on Si substrates by tion （XRD） spectra show that the films have a （002） pulsed laser deposition （PLD）. X - ray diffracoriented hexagon wurstite crystalline structure and the crystallinity becomes better with higher substrate temperature. Current - voltage （ I - V）, capacitance - voltage （ C - V） and polarization measurements demonstrate that the room - temperature grown sample has a breakdown field of 2.5MV/cm, and also a clear polarization hysteresis. Based on the intrinsic large spontaneous polarization in crystalline AlN and the large dynamic charge density in the samples.

关 键 词：ALN薄膜 极化 电学性能 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理]