硅基可见光近红外光电子器件  

作　　者：高（编译） 

出　　处：《红外》2006年第8期19-19,共1页Infrared

摘　　要：本发明提供一种硅基可见光近红外光电子器件，该器件的一个表面层中掺杂了平均浓度从0．5％原子到1．5％原子不等的硫成分。该表面层与衬底的底层部分构成了一个二极管结。另外，该光电子器件还包括许多个电接点，这些电接点是用来向表面层施加0．1V至15V反向偏压的。通过向表面层施加反向偏压，可以促使其根据所接受到的电磁辐射产生电信号，如光电流。该光电探测器对于250nm-1050nm范围的入射辐射的响应率大于1AW，对于更长的波长如3．5μm以下的波长，其响应率大于0．1A／W。

关 键 词：光电子器件 近红外 可见光 硅基 反向偏压 光电探测器 表面层 平均浓度 电磁辐射 入射辐射 

分 类 号：O657.33[理学—分析化学] TN15[理学—化学]