CMOS功率放大器在射频识别技术中的应用概述  

Application of CMOS Power Amplifiers in RFID Technology:An Overview

作　　者：高同强[1] 池保勇[2] 王敬超[1] 马长明 张春[2] 王志华[2] 

机构地区：[1]清华大学电子工程系,北京100084 [2]清华大学微电子学研究所,北京100084

出　　处：《微电子学》2006年第4期450-455,共6页Microelectronics

基　　金：国家高技术研究发展(863)计划"SOC片上系统"重大专项项目(2003AA1Z1100);国家高技术研究发展(863)计划资助项目(2004AA1Z1100);国家自然科学基金资助项目(90407006)

摘　　要：针对国内外射频识别技术的迅猛发展,结合射频识别技术的应用背景,阐述了读写器中最大的耗能器件—功率放大器的研究现状;指出CMOS工艺应用于功率放大器设计的局限性和可行性;最后,探讨了将CMOS功率放大器应用于射频识别技术的主要研究方向。Radio frequency identification （RFID） technology has found extensive applications in many fields of modern society. As a power boosting and a power dissipation device, the power amplifier plays an important role in the reader of RFID systems. The present status of power amplifier in CMOS process is discussed,and its potential applications in RFID technology are summarized in the paper.

关 键 词：功率放大器 射频识别技术 CMOS工艺 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统] TN432