硅压阻式加速度传感器的结构研究  

Study on silicon mechanical structures for piezoresistive accelerometers

作　　者：陈宏[1] 鲍敏杭[1] 胡澄宇[1] 

机构地区：[1]复旦大学电子工程系

出　　处：《复旦学报（自然科学版）》1996年第5期538-544,共7页Journal of Fudan University：Natural Science

基　　金：传感器技术国家重点实验室项目;国家自然科学基金

摘　　要：结合实际器件设计，对三种压阻式加速度传感器结构即双悬臂梁、四梁和双岛－五梁结构进行了详细的力学分析和特性比较，得到了理论计算的灵敏度、固有频率和阻尼等特性，器件的测试结果与理论计算值基本相符，目前三种结构的器件都已实用化，封装后的质量小于１ｇ．该项工作为实际应用中根据不同量程要求选取不同的器件结构与参数提供了依据．Based on the practical design,the dynamic characteristics of three silicon accelerometer structures:cantilever beam,quad-beam and two-mass,five-beam structures,have been discussed and compared. The theoretical sensitivities,frequencies and damping factors have been calculated. The experimental results agreed well wigh the analytical results. The work of this paper provides basic data for the application of three device structures to meet different requirement.

关 键 词：加速度 传感器 压阻式 硅 结构设计 

分 类 号：TH824.4[机械工程—仪器科学与技术] TP212[机械工程—精密仪器及机械]