ViPR^TM全湿法、无灰化光刻胶剥离工艺——ZETA^R G3系统的应用之一  

出　　处：《半导体技术》2006年第9期I0001-I0004,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：动机及ViPR工艺概况 近期，业界在减少制造过程中晶圆表面硅和氧化硅的损耗总量方面已经做出了较大的努力，硅在工艺中的损耗可能会导致器件电气性能的下降，如图[1]。同样也已验证，灰化处理会造成晶圆表面的氧化和无序化，并且会导致在灰化后清洗（PAC）工艺中硅和氧化硅材料的损耗增加[2，3]。除了在PAC过程中降低化学试剂的温度外，

关 键 词：剥离工艺 全湿法 光刻胶 G3系统 氧化硅 电气性能 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]