计入衍射效应后三IDT结构SAWF的设计  

作　　者：陶雄强[1] 谢炳新 

机构地区：[1]浙江大学信息与电子工程系 [2]浙江德清电子器材厂

出　　处：《压电晶体技术》1996年第2期29-32,共4页

摘　　要：本文研究了三ＩＤＴ结构ＳＡＷ输入换能器波阵面均匀孔矩加权的设计方法以及计入衍射效应后的校正方法，并给出了设计实例，结果表明，衍射校正后的带外抑制设计值与校正前相比，改进了约３－５ｄＢ。

关 键 词：声表面波 滤波器 衍射效应 设计 叉指换能器 

分 类 号：TN713.02[电子电信—电路与系统] TN712