铁电存储器的研究进展  

Research Progress of Ferroelectric Memory

作　　者：付承菊[1] 郭冬云[2] 

机构地区：[1]武汉理工大学材料科学与工程学院,武汉430070 [2]华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074

出　　处：《微纳电子技术》2006年第9期414-419,共6页Micronanoelectronic Technology

基　　金：湖北省自然科学基金项目(2003ABA061);武汉理工大学科学研究基金资助

摘　　要：介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。The basic principles of information storage were introduced. The research progress of ferroelectric memory （ferroelectric random access memory and ferroelectric field effect transistor）, the problems and the domestic developing status in this field were discussed. And the technology development of ferroelectric memory was expected.

关 键 词：铁电存储器 铁电随机存取存储器 铁电场效应晶体管 

分 类 号：TN384[电子电信—物理电子学]