一种1.8V24×10^(-6)/℃宽温度范围CMOS带隙基准电压源(英文)  

A 1.8 V 24×10^-6/℃ CMOS Bandgap Voltage Reference with Wide Operation Temperature Range

作　　者：马建斌[1] 金湘亮[2] 计峰[1] 陈杰[2] 

机构地区：[1]山东大学物理与微电子学院,济南250100 [2]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《电子器件》2006年第3期697-700,共4页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：国家自然科学基金(90307012)

摘　　要：阐述了一种输出电压为853 mV的带隙基准电压源电路,该电路采用0.18μm标准CMOS工艺实现,可在1.8 V的电源电压下工作,在-20℃到120℃温度范围内其温度系数为24×10-6/℃。在频率低于10kHz时,电源抑制比保持在-66dB。电路版图的有效面积为0.022 mm2。该电路已成功应用于低功耗CMOS图象传感器芯片当中。A bandgap circuit capable of generating a reference voltage of about 853 mV is presented. The proposed circuit , implemented in a 0. 18 μm standard CMOS technology, can operate with a supply voltage of 1.8 V and achieves 24× 10^-6/℃ temperature coefficient in the range from -20℃ to 120℃. The power supply rejection is 66 dB until 10 kHz and the active area of this circuit is about 0. 022 mm^2. Our circuit has been used in low power CMOS image sensor successfully.

关 键 词：带隙基准电压源 CMOS工艺 宽温度范围 电源抑制比 电路版图 传感器芯片 输出电压 温度系数 

分 类 号：TN431.1[电子电信—微电子学与固体电子学]