InSb红外焦平面列阵器件减反射膜淀积方法  

出　　处：《表面技术》2006年第5期36-36,共1页Surface Technology

摘　　要：本发明公开了一种InSp红外焦平面器件减反射膜低温淀积方法及其专用金属掩模架。其方法为淀积温度1000C～105℃，Sill。流量5．8～6．2sccm，N2O流量88～95sccm，腔体压强600～610mτ，淀积时间80min。其效果使得InSb芯片的反射率在3．7～4．8μm工作波段降至8％～19％，从而使得InSb红外焦平面器件的响应率提高30％。沉积减反射膜采用专用金属掩模架，保护了硅CMOS读出电路，使其引线脚部位免于氧化硅膜的淀积。该方法满足了空空导弹制导用InSb红外焦平面器件减反射膜制备的要求．

关 键 词：红外焦平面器件 低温淀积 减反射膜 INSB 列阵器件 CMOS读出电路 氧化硅膜 工作波段 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]