瞬时辐射对80C31单片机性能的影响  

作　　者：周开明 谢泽元 杨有莉 

出　　处：《中国工程物理研究院科技年报》2004年第1期233-233,共1页Annual Report of China Academy of Engineering Physics

摘　　要：以“闪光”-I加速器为剂量率瞬时辐射源，以工作电流作为判据，研究80C31单片机瞬时辐射效应。图1是γ剂量率为3．01×10^7Gy（Si）／s时的单片机输出波形。监测80C31微处理器的能端（A）、低位地址线（B）和低位数据线（C）来确定单片机工作状态。在辐照剂量率提高到3．01×10^7Gy（Si）／s时，程序存储使能端、低位地址线和低位数据线输出信号都消失，程序存储使能端输出了2．5V的直流电平，低位地址线输出了约1V的直流电平，而低位地址输出为零，此时单片机系统处于深闭锁。一分钟后，重新观察80C31单片机，仍无波形输出，测出单片机闭锁电流为163mA。断电后重新启动单片机，其功能恢复正常，此时工作电流也正常，仍然是67-3mA。说明在高γ剂量率辐照下，80C31单片机出现了深闭锁，电流也比正常工作时大了两倍以上，但闭锁电流还不足以烧毁单片机系统。

关 键 词：单片机系统 80C31 辐射源 瞬时 工作电流 辐照剂量率 输出波形 性能 

分 类 号：TP368.1[自动化与计算机技术—计算机系统结构]