微波功率AlGaN/GaN HEMT的研究进展  

Progress in the Development of Microwave Power AlGaN/GaN's HEMT

作　　者：马香柏[1] 郝跃[1] 张进城[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西西安710071

出　　处：《电子科技》2006年第10期1-4,共4页Electronic Science and Technology

基　　金：国家重点基础研究发展计划(973计划)(2002CB3119);国防科技重点实验室基金项目(51433040105DZ0102);国防973计划项目(513270407);国防科技重点实验室基金项目(51432030204DZ0101)资助研究。

摘　　要：文章论述了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波功率领域应用的优势,详细介绍了微波功率AlGaN/GaNHEMT的工艺进展以及器件的直流和频率特性,评述了其最新进展及今后发展方向。Advantages of AlGaN/GaN high electron mobility transistor（HEMT） in the application of microwave power field are reviewed. The process of microwave power AlGaN/GaN HEMT and the effects of material and structure on the device performance are described in detail. Latest progress in this field is presented.

关 键 词：ALGAN/GAN 微波 功率 

分 类 号：TN12[电子电信—物理电子学]