晶体硅扩散层有效杂质的浓度分布  

STUDY OF THE EFFECTIVE DOPING CONCENTRATION PROFILE IN CRYSTALLINE SILICON DIFFUSION LAYER

作　　者：屈盛[1] 刘祖明[1] 廖华[1] 陈庭金[1] 

机构地区：[1]云南师范大学太阳能研究所云南省农村能源工程重点实验室,昆明650092

出　　处：《太阳能学报》2006年第3期295-299,共5页Acta Energiae Solaris Sinica

基　　金：云南省科技厅省院省校合作项目(2003JAACA02A04)

摘　　要：在求解半导体扩散层中有效杂质浓度分布时,如果将半导体的载流子迁移率μ当作常数,所得的结果与实际分布有较大的出入。为了将迁移率的变化考虑到计算中,提出一个分段函数对n型硅的迁移率实验曲线进行拟合。考虑载流子迁移率μ的分布后,实验求得的分布曲线与实际分布更加接近了。The calculation of the effective doping concentration profile in the semiconductor diffusion layer has a big error as the mobility μ with a constant. A dividing function was set up to simulate the experimental curve of the n type silicon mobility. The calculation using mobility profile carrier concentration profile can be well with the experiments.

关 键 词：有效杂质浓度分布 迁移率 分段函数 

分 类 号：TK51[动力工程及工程热物理—热能工程]