低压金属有机化学气相外延生长室热流场的模拟与分析  

Numerical Simulation and Analysis of Flow Field in Low Pressure Metalorganic Chemical Vapour Deposition Reactor

作　　者：任爱光[1] 任晓敏[1] 王琦[2] 熊德平[1] 黄辉[1] 黄永清[1] 

机构地区：[1]北京邮电大学光通信与光波导教育部重点实验室,北京100876 [2]北京邮电大学继续教育学院,北京100876

出　　处：《材料科学与工程学报》2006年第5期662-665,共4页Journal of Materials Science and Engineering

基　　金：科技部973资助项目(2003CB314901)

摘　　要：本文运用了有限体积方法模拟了低压有机金属化学气相外延生长室的二维流场和热场的分布情况,分析了生长室内压力和基座转速对于流场和热场影响,指出了低压金属有机化学气相外延的优点所在。The 2D simulations of flow, temperature in low pressure metalorganic chemical vapour deposition （LP-MOCVD） were described by finite volume method. The effects from the operating pressure and rotational speed of substrate are analyzed, and the merits of LP-MOCVD are pointed out.

关 键 词：有机金属化学气相外延 SIMPLE算法 旋转垂直腔 

分 类 号：TF123[冶金工程—粉末冶金]