采用End-Hall源沉积类金刚石膜  

Experiments on depositing diamond-like-carbon by using source End-Hall

作　　者：洪伟[1] 赵友博[2] 张铁群[2] 

机构地区：[1]航天科工集团三院8358所,天津300092 [2]南开大学现代光学研究所光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071

出　　处：《光学仪器》2006年第5期75-80,共6页Optical Instruments

基　　金：光电信息技术科学教育部重点实验室资助项目(2005-19)

摘　　要：介绍了两种普遍采用的类金刚石(DLC)膜沉积方法。在此基础上叙述了采用End-H all源沉积DLC膜的方法,在简单说明其工作原理的同时给出了实验的各项技术参数;通过对实验结果和DLC膜样品的分析,可看出用End-H all源沉积方式能够消除RFCVD沉积方式所带来的边缘效应。Two commonly adoptived depositing methods of diamond-like-carbon （DLC） are introduced and analyzed . The principles and experimental parameters of the source End-Hall DLC are presented. Experimental results and analyses on the deposited DLC coating samples are demonstrated. The brim effects introduced by RFCVD can be removed by source End-Hall deposition method.

关 键 词：类金刚石膜 射频等离子放电沉积 End-Hall源 边缘效应 

分 类 号：O484[理学—固体物理]