工作在动态阈值MOS的特性研究  

Performance Study of MOS Working in Dynamic Threshold

作　　者：石立春[1] 

机构地区：[1]西安通信学院,陕西西安710106

出　　处：《现代电子技术》2006年第23期127-128,130,共3页Modern Electronics Technique

摘　　要：通过将衬底和栅极连接在一起实现了MOSFET的动态阈值,DTMOS与标准的MOSFET相比具有更高的迁移率,在栅极电压升高时DTMOS阈值电压会随之降低,从而获得了比标准的MOSFET大的电流驱动能力。DTMOS是实现低电压、低功耗的一种有效手段。By tying gate and substrate of MOSFET together, a Dynamic Threshold MOS （DTMOS） is obtained. DTMOS has higher carrier mobility than the standard MOSFET. Furthermore,DTMOS threshold voltage drops when the gate voltage is raised,resulting in a much higher current drive than the standard device. In a word,DTMOS is a good candidate for very low voltage and low power.

关 键 词：动态阈值 工作特性 MOSFET 栅极 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]