（Hg，Cd）Te薄腰的LPE生长条件与纵向组分分布  

Relationship between LPE Growth Condition and Composition-In-Depth Profile of (Hg,Cd)Te Epifilm

作　　者：李标[1] 褚君浩[1] 朱基千[1] 陈新强[1] 曹菊英[1] 汤定元[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》1996年第10期721-728,共8页半导体学报（英文版）

摘　　要：根据热力学理论推导出（Ｈｇ，Ｃｄ）Ｔｅ液相外延生长过程中有效分凝系数的表达式并与实验结果进行比较，由此分析了Ｈｇ压、溶液组成、降温速度及过冷度等对（Ｈｇ，Ｃｄ）Ｔｅ液相外延薄膜纵向组分分布的影响．Abstract The effective segregation coefficient of (Hg,Cd)Te during the liquid phase epitaxy(LPE) period is derived and compared with the experimental data. Based on this, the influences of Hg partial pressure, liquid compositions, supercooling and cooling rate on the composition-in-depth profile of (Hg, Cd)Te liquide phase epitaxial films are analyzed.

关 键 词：HGCDTE薄膜 液相外延生长 纵向组分分布 

分 类 号：TN304.25[电子电信—物理电子学] O484.1[理学—固体物理]