HGCDTE薄膜

作品数：19被引量：52H指数：4
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相关机构：中国科学院昆明物理研究所云南大学华东师范大学更多>>
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近化学计量比的HgCdTe薄膜表面处理方法
《红外技术》2024年第6期646-653,共8页王嘉龙 刘艳珍 杨晓坤 黄福云 杨超伟 李雄军 
本文采用X射线光电子能谱检测技术分别对溴-甲醇(Br_(2):Me)、溴-氢溴酸(Br_(2):HBr)和溴-氢溴酸-乙二醇(Br_(2):HBr:Eg)3种体系的腐蚀液处理后的HgCdTe表面状态进行了研究,结果表明这3种溴基腐蚀液均会造成HgCdTe表面富碲(Te^(0)),且...
关键词：碲镉汞 表面处理 富碲 等离子体氧化 近化学计量比 
HgCdTe薄膜的输运特性及其应力调控
《物理学报》2020年第5期196-201,共6页张松然 何代华 涂华垚 孙艳 康亭亭 戴宁 褚君浩 俞国林 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2016YFA0202201);国家自然科学基金(批准号:11774367)资助的课题~~
窄禁带直接带隙半导体材料碲镉汞(Hg1–xCdxTe)是一种在红外探测与自旋轨道耦合效应基础研究方面都具有重要应用意义的材料.本文对单晶生长的体材料Hg0.851Cd0.149Te进行阳极氧化以形成表面反型层,将样品粘贴在压电陶瓷上减薄后进行磁...
关键词：HGCDTE Shubnikov-de Haas振荡 压电陶瓷 应力调控 
HgCdTe液相外延薄膜与衬底之间组分过渡层研究
《电子世界》2019年第2期94-94,96,共2页毛旭峰 黄元竞 吴军 万志远 王志斌 
通过改变薄膜的生长降温速率和生长时间,生长了一系列薄膜,并用SEM-EDS研究了其组分纵向分布。发现生长的HgCdTe液相外延薄膜与CdZnTe衬底之间的组分过渡层一般都在3μm以下与国外HgCdTe薄膜过渡层的水平一致,且组分过渡层厚度随着生长...
关键词：HGCDTE薄膜 CdZnTe衬底 过渡层厚度 外延薄膜 组分 液相 SEM-EDS 生长时间 
HgCdTe薄膜的反局域效应被引量：2
《红外与毫米波学报》2013年第2期141-144,共4页魏来明 刘新智 俞国林 高矿红 王奇伟 林铁 郭少令 魏彦峰 杨建荣 何力 戴宁 褚君浩 
国家重点基础研究发展计划(2013CB922301;2012CB619204);国家自然科学基金(60976093;10934007;11174306;11104073);上海市创新专项基金项目(11DZ1140500);信息功能材料国家重点实验室开放课题;上海技术物理所创新专项(Q-ZY-76)~~
利用液相外延法制备了Hg0.77Cd0.23Te薄膜样品,在对样品的低温磁输运测试中观察到反局域效应,说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.通过Hikami-Larkin-Nagaoka(HLN)局域模型加上Drude电导模型拟合磁电导曲线,得到了电子的退相干时间和自...
关键词：反局域 退相干时间 自旋-轨道耦合 
液相外延HgCdTe薄膜组分均匀性对器件响应光谱的影响被引量：2
《红外与激光工程》2013年第4期845-849,共5页崔宝双 魏彦锋 孙权志 杨建荣 
国家自然科学基金(60876012)
研究了HgCdTe液相外延薄膜的组分均匀性对器件响应光谱的影响。提出了一种计算HgCdTe红外探测器响应光谱的方法,考虑了HgCdTe液相外延薄膜的纵向组分分布和横向组分波动,以及光在器件各层结构中的相干、非相干传输。使用该方法计算了响...
关键词：HgCdTe液相外延薄膜 响应光谱 纵向组分分布 横向组分波动 
分子束外延HgCdTe薄膜的CdTe缓冲层特性研究被引量：3
《红外技术》2009年第11期628-630,633,共4页宋立媛 唐利斌 李艳辉 孔令德 陈雪梅 
装备预先研究项目
CdTe是GaAs衬底上分子束外延(MBE)HgCdTe薄膜时的缓冲层,引入缓冲层的目的是减小失配位错,CdTe缓冲层的生长直接影响到后续HgCdTe薄膜的制备质量,然而目前现有文献鲜有报道CdTe缓冲层的最佳厚度。采用X射线双晶衍射、位错腐蚀坑密度(EPD...
关键词：分子束外延 CdTe缓冲层 位错密度 
HgCdTe薄膜材料缺陷的研究现状被引量：3
《红外》2006年第8期27-32,共6页曹秀亮 
HgCdTe外延薄膜材料中的缺陷是制约高性能红外焦平面器件发展的主要因素。对缺陷的研究与评价是材料生长以至器件制备过程中不可或缺的重要一环．本文详细介绍了HgCdTe外延材料中几种主要缺陷的研究进展．
关键词：HGCDTE 外延 缺陷 器件 
碲锌镉衬底缺陷对液相外延碲镉汞薄膜结构的影响被引量：15
《激光与红外》2005年第9期663-667,共5页吴刚 唐利斌 马庆华 赵增林 张梅 黄晖 姬荣斌 
采用红外显微镜、X射线双晶回摆衍射法、X射线貌相术对CdZnTe衬底中的沉淀相、亚结构、组分偏析等缺陷进行了研究,并对用此衬底液相外延的HgCdTe薄膜作了测试。结果显示:CdZnTe衬底中亚晶界处聚集的位错在外延生长中呈发散状向薄膜中延...
关键词：X射线双晶回摆衍射法 貌相术 CdZnTe衬底 HGCDTE薄膜 液相外延 Te沉淀相 
液相外延HgCdTe薄膜组分均匀性对红外透射光谱的影响被引量：9
《Journal of Semiconductors》2005年第5期904-909,共6页王庆学 魏彦锋 杨建荣 何力 
国家自然科学基金委创新研究群体科学基金资助项目(批准号:60221502)~~
用多层模型和膜系传递矩阵计算了HgCdTe/CdZnTe外延薄膜的红外透射光谱,结果表明组分扩散区主要影响透射光谱的干涉条纹和透射率小于10%的区域,而组分梯度区则影响吸收边斜率.横向组分波动也将影响透射光谱的吸收边斜率,当组分均方差小...
关键词：多层模型 膜系传递矩阵 HgCdTe外延薄膜 纵向组分分布 横向组分波动 
分子束外延HgCdTe薄膜As掺杂P型激活研究(英文)被引量：9
《红外与毫米波学报》2005年第2期81-83,共3页吴俊 徐非凡 巫艳 陈路 于梅芳 何力 
TheprojectsupportedbytheNationalNaturalScienceFoundationofChina(60221502)
报道了利用As4 作为掺杂源获得原位As掺杂MBEHgCdTe材料的研究结果.利用高温退火技术激活As使其占据Te位形成受主.对原位As掺杂MBEHgCdTe材料进行SIMS及Hall测试,证实利用原位As掺杂及高温退火可获得P型MBEHgCdTe材料.
关键词：HGCDTE薄膜 分子束外延 掺杂 As HGCDTE材料 激活 P型 MBE 退火技术 研究结果 SIMS 高温退火 原位 
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