曹秀亮

作品数：2被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文主题：HGCDTEHGCDTE薄膜液相外延材料液相外延CHEN更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《红外》更多>>
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HgCdTe薄膜材料缺陷的研究现状被引量：3
《红外》2006年第8期27-32,共6页曹秀亮 
HgCdTe外延薄膜材料中的缺陷是制约高性能红外焦平面器件发展的主要因素。对缺陷的研究与评价是材料生长以至器件制备过程中不可或缺的重要一环．本文详细介绍了HgCdTe外延材料中几种主要缺陷的研究进展．
关键词：HGCDTE 外延 缺陷 器件 
HgCdTe外延材料的缺陷腐蚀特性
《Journal of Semiconductors》2006年第8期1401-1405,共5页曹秀亮 杨建荣 
通过对Schaake和Chen腐蚀剂在HgCdTe外延材料(111)B面腐蚀坑特性的研究,揭示了HgCdTe液相外延材料中的缺陷特征及其密度分布规律.深度腐蚀实验显示外延材料中确实存在着通常认为的具有定向穿越特性的穿越位错.将两种腐蚀剂作用于同一样...
关键词：缺陷 位错 腐蚀坑 Schaake CHEN HGCDTE 
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