纳米线MOSFET量子电容讨论  

ON QUANTUM CAPACITOR OF NANOWIRE MOSFET

作　　者：张洪涛[1] 

机构地区：[1]湖北工业大学电气与电子工程学院通信工程系,湖北武汉430068

出　　处：《武汉工业学院学报》2006年第4期29-31,共3页Journal of Wuhan Polytechnic University

基　　金：教育部重点科技项目(206095);湖北省教育厅重点项目(D200614002);湖北工业大学科研启动基金(湖工大科1号文);湖北省教育厅重大项目(2000ZD007);湖北省对外科技交流基金(鄂教外[2006]25);教育部回国人员启动基金

摘　　要：讨论了纳米线MOSFET量子电容测量及影响因素,同时讨论了计算方法,得出量子电容为1.2 aF。观察到室温单电子遂穿现象,是一个单电子晶体管。提出了一种新的模型,解释室温出现大电流单电子库仑阻塞效应,认为是类似于库柏对电子对纳米线岛“似单电荷”的库仑阻塞效应起作用,亦即进入岛的非单子而是电子对,出岛的也如此。这样就解释了大电流量子台阶出现的现象。It illustrates the quantum capacitor of nanowire MOSFET, and shows the Culumon staircase at 176 K. It is a typical single electron MOSFET. The total capacitor is computed according to the device model, and it equals to 1.2 aF. The currents of nanodevices can reach miliAmpere degree. It could be attributed to a new model, in which the nanowire could be refered to as a special Coulomb island, and the electrons could form pairs by combining nanowire with electrodes. One electron pair（like cooper pairs） enter the island, and another pair must go out. It fits into the Coulomb blockade theorem.

关 键 词：纳米线 碳化硅 量子电容 单电子晶体管 库柏对 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]