用在可制造性设计中的光刻规则检查  

Litho-Rule Checking Insertion into DFM Flow

作　　者：陆梅君[1] 金晓亮 毛智彪 梁强 

机构地区：[1]上海宏力半导体制造有限公司

出　　处：《半导体技术》2006年第12期920-923,共4页Semiconductor Technology

基　　金：上海浦东新区专项基金项目(PKJ2004-58)

摘　　要：可制造性设计(DFM)已经发展成为优化通晓制造技术设计中的有效工具,它包含从理论、规则到工具的整体应用来提升从设计到硅片的流程。基于制程模型的光刻规则检查(LRC),可查出没被设计规则检查(DRC)出来的设计布局的不足之处。本设计把光刻规则检查加入到设计流程中,用来优化设计规则,改善布局更有利光学邻近效应修正,使布局图形有更大的制程窗口。Design for manufacturability （DFM） is becoming an efficient tool for optimizing the manufacturing-aware design, including principle, rules, tools, and methodologies to optimize the profitability of overall design-to-silicon flow. Based on process model, lithographic rule checking （LRC） could detect the weak points of the pattern layout unnoticed with geometric DRC. In this work LRC was inserted into the DFM flow to optimize the design rules, providing the OPC friendly layout and making the process window mask shape.

关 键 词：可制造性设计 光刻规则检查 光学邻近效应修正 设计规则 制程窗口 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]