半导体器件中金属化系统的失效模式  

作　　者：蒲耀川 

机构地区：[1]天水天光半导体有限责任公司,甘肃天水741000

出　　处：《甘肃科技纵横》2006年第6期48-48,16,共2页Scientific & Technical Information of Gansu

摘　　要：阐述了半导体器件中金属化系统的失效模式和机理,提出了为消除金属化系统失效模式和提高金属化系统可靠性而采取的措施。

关 键 词：金属化系统 可靠性 失效模式 电迁移 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]