长波长1．3μm超辐射发光管的制备  

作　　者：鲍海飞[1] 石家纬[1] 刘明大 金恩顺 李淑文 

机构地区：[1]哈尔滨工业大学航天学院航天电子与光电工程系,吉林大学电子工程系

出　　处：《半导体技术》1996年第6期25-28,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：对半导体激光器腔面分别蒸镀单层和双层减反射膜（ＡＲ）制备超辐射发光管（ＳＬＤ），测试了器件功率特性、光谱特性和远场分布，并计算了器件端面的剩余反射率。

关 键 词：超辐射发光管 减反射膜 剩余反射率 

分 类 号：TN248.405[电子电信—物理电子学]