超辐射发光管

作品数：29被引量：39H指数：4
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利用三量子阱结构拓宽1550nm InGaAlAs超辐射发光管光谱被引量：2
《固体电子学研究与进展》2018年第2期121-126,共6页孙春明 张晶 祝子翔 陈锋 
吉林省重大项目招标(20170203014GX)
为了拓宽1 550nm InGaAlAs超辐射发光二极管(SLD)的输出光谱,采用三量子阱结构(分别对应1 530、1 550、1 570nm中心激射波长)作为有源区制作了1 550nm SLD,并在器件非出射端部分制作成非注入吸收区,通过吸收区抑制激射。实验结果表明研...
关键词：超辐射发光二极管 三量子阱 复合效率 中心波长 
大功率短波长InAlGaAs/AlGaAs量子点超辐射发光管被引量：3
《发光学报》2016年第6期706-710,共5页王飞飞 李新坤 梁德春 金鹏 王占国 
国家自然科学基金(61274072,61306087);“863”国家高技术研究发展计划(2013AA014201)资助项目
为了满足超辐射发光管的短波长应用,采用InAlGaAs/AlGaAs量子点有源区和干法刻蚀工艺制备了短波长弯曲波导超辐射发光管。在1.6A脉冲电流注入下,器件峰值输出功率为29mW,中心波长为880nm,光谱半高宽为20.3nm。比较了干法刻蚀工艺和湿法...
关键词：超辐射发光管 自组织量子点 干法刻蚀 
双注入区量子点超辐射发光管的数值模拟
《微纳电子技术》2014年第5期286-296,共11页陈红梅 安琪 吴艳华 王飞飞 胡发杰 李新坤 金鹏 吴巨 王占国 
国家自然科学基金资助项目(61274072;60976057);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2013AA014201)
数值模拟了结构参数(超辐射区腔长和脊宽,光放大区腔长和张角)对双注入区量子点超辐射发光管器件性能(光谱和功率等)的影响。结果表明,当器件超辐射区注入电流和放大区注入电流均固定时,随着超辐射区腔长的增加,输出光谱中激发态强度减...
关键词：超辐射发光管(SLD) 量子点(QD) 双注入区结构 器件模型 结构参数 
超辐射发光二极管的应用被引量：11
《红外技术》2010年第5期297-303,共7页王佐才 吕雪芹 金鹏 王占国 
国家重点基础研究发展计划(编号:2006CB604904);国家自然科学基金项目(编号60976057;60876086;60776037)
超辐射发光二极管(superluminescent diode简称SLD)具有光谱宽、功率大等优点。作为一种特殊光源,SLD已经被广泛应用。简要介绍了SLD的主要特征、主要表征参数和发展现状,详细阐述了SLD在干涉式光纤陀螺仪、光学相干断层成像技术、波分...
关键词：超辐射发光管 干涉式光纤陀螺仪 光学相干断层成像技术 波分复用 光时域反射仪 可调谐外腔激光器 
量子点超辐射发光管研究进展(续)
《微纳电子技术》2009年第9期513-517,共5页吕雪芹 王佐才 金鹏 王占国 
国家重点基础研究发展计划(2006CB604904);国家自然科学基金(60976057;60876086;60776037)
关键词：超辐射发光管 量子点 光纤陀螺仪 光时域反射计 可调谐激光器 时间相干性 性能要求 耦合效率 
量子点超辐射发光管研究进展被引量：2
《微纳电子技术》2009年第8期449-456,共8页吕雪芹 王佐才 金鹏 王占国 
国家重点基础研究发展计划(2006CB604904);国家自然科学基金(60876086;60776037)
简要回顾了超辐射发光管(SLD)的发展历史、量子点SLD的提出及优点,介绍了SLD的工作原理、器件结构及表征参数,详细分析了近年来国内外各研究小组在提高量子点SLD性能方面的研究进展。基于自组织量子点的尺寸非均匀分布特征、优化的有源...
关键词：超辐射发光管 自组织量子点 尺寸非均匀性 宽光谱 大功率 
1.3μm应变补偿多量子阱SLD台面制作工艺的研究
《半导体技术》2009年第6期543-545,共3页唐道远 李晓良 
台面制作工艺对1.3μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响。根据外延结构,分析比较了两种台面制作的方法,即选择性湿法腐蚀法和ICP刻蚀+湿法腐蚀法。InGaAs层ICP刻蚀避免了湿法腐蚀中的侧向钻蚀现象,Cl2含量为30%时速率可达到42...
关键词：应变补偿多量子阱 超辐射发光管 台面 湿法腐蚀 感应耦合等离子体 
阳极氧化法制备超辐射发光管实验研究
《兵工学报》2007年第7期822-825,共4页高欣 薄报学 张晶 李辉 曲轶 
国家自然科学基金资助项目(60474026;60477010)
采用阳极氧化方法和MBE生长技术进行了非均匀阱宽InGaAs/AlGaAs多量子阱超辐射发光管器件的设计和工艺制作,研究了三种条形结构器件的功率输出和光谱输出特性。在150mA的驱动电流条件下获得了10 mW以上的超辐射光输出,光谱宽度约为18 nm.
关键词：半导体技术 阳极氧化 非均匀阱宽 量子阱 脊形波导 超辐射发光管 
GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征被引量：5
《发光学报》2007年第6期885-889,共5页李梅 李辉 王玉霞 刘国军 曲轶 
国家重点实验室基金资助项目(06zs3601)
超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为了制备高功率半导体超辐射发光管,并且得到比较大的光谱宽度、大的单程增益和抑制电流饱和,我们研究设计了具有850nm辐射波长的GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量...
关键词：超辐射发光二极管 非均匀阱宽多量子阱 光致发光 
1.55μm超辐射发光管端面减反射膜的研究
《光学仪器》2006年第4期159-163,共5页聂明局 刘德明 胡必春 
减反射膜层折射率和厚度的精密监控是超辐射发光管的关键技术。分析了超辐射发光管端面减反射膜的四种膜系,提出了监控薄膜厚度的挡板调制、高级次过正极值法。采用该法制备超低剩余反射膜的实验表明:单面镀膜后,砷化镓基片的剩余反射...
关键词：减反射膜 挡板调制法 超辐射发光管 
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