2.45 GHz全集成CMOS功率放大器设计  

Design of 2.45 GHz Fully Integrated CMOS Power Amplifier

作　　者：徐国栋[1] 朱丽军[1] 兰盛昌[1] 

机构地区：[1]哈尔滨工业大学卫星技术研究所,哈尔滨150080

出　　处：《半导体技术》2007年第1期62-64,81,共4页Semiconductor Technology

基　　金：国家973科研计划项目(51312)

摘　　要：在一个RF收发机系统中,功率放大器的集成问题一直是难点之一。首先简要介绍开关模式功率放大器及其提高效率的理论基础,然后采用0.18μm CMOS工艺给出了工作在2.45GHz的全集成单片功率放大器的设计,并采用ADS仿真软件验证了设计的正确性。In the RF receiver function, the integration of CMOS power amplifier remains a difficult challenge. The switching mode power amplifier and the physical principles for achieving high efficiency were presented, and a fully integrated two-stage 2.45 GHz power amplifier was designed by 0.18 tan CMOS technologies. The validity was proved by using the Agilent ADSTM .

关 键 词：互补金属氧化物半导体 功率放大器 射频 集成电路 

分 类 号：TN722.3[电子电信—电路与系统]