IR最新200V DirectFET MOSFET效率高达95%并大幅节省占位空间  

出　　处：《电源技术应用》2006年第12期83-83,共1页Power Supply Technologles and Applications

摘　　要：全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（InternationaI Rectifier，简称IR）推出IRF6641TRPbF功率MOSFET，采用IN标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200V HEXFET MOSFET硅技术。可实现95％的效率。

关 键 词：DIRECTFET 功率MOSFET IR 国际整流器公司 空间 占位 HEXFET 功率半导体 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]