GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶体表面碳污染的去除  

REMOVING OF THE CARBON CONTAMINATION FROM GaAs, GaP, InP, GalnAs AND GalnPAs SURFACES

作　　者：陶兆民[1] 夏长虹[1] 潘晓丹 潘峡 

机构地区：[1]中国科学院电子学研究所

出　　处：《电子科学学刊》1989年第1期107-112,共6页

基　　金：中国科学院自然科学基金

摘　　要：本文以UV/O_3法去除GaAs,GaP,InP,GaInAs,OaInPAs晶体表面碳的污染,实验给出不同的结果并给予解释。The different results of removing the carbon contamination with UV/O2 from the GaAs, GaP, InP, GalnAs and GafnPAs surfaces are given.

关 键 词：晶体表面 碳污染 UV/O3法 AES 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]