陶兆民

作品数：9被引量：13H指数：2
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供职机构：中国科学院电子学研究所更多>>
发文主题：微通道板MCP电子倍增器光电阴极材料信噪比更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《光电子技术》《红外技术》《应用光学》《真空科学与技术学报》更多>>
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次级电子激发过程的Monte Carlo模拟计算被引量：1
《真空科学与技术》1994年第5期366-370,共5页韦亚一 陶兆民 黄力明 
在总结前人工作的基础上，利用MonteCarlo方法建立了次级电子激发过程的数学模型。然后利用此模型计算了一类重要的次级发射体──高铅硅酸盐玻璃的次级发射性能。本文首次把次级电子发射体的材料构成与其次级电子发射性能通过MonteCarl...
关键词：蒙特卡罗法 次级电子激发 模拟计算 
微通道板最佳倾斜角的设计被引量：2
《红外技术》1994年第2期19-21,共3页韦亚一 陶兆民 
本文根据铅硅玻璃次级电子产额公式，计算了对应于不同入射能量的原初电子进入微通道板的最佳入射倾斜角。指出不同材料制作的微通道板（不同的微通道板皮玻璃料方），工作在不同的条件下（入射电子能量不同），就必须设计不同的倾斜角...
关键词：微通道板 倾斜角 次级电子 通道板 
MCP噪声因子的理论分析被引量：4
《电子科学学刊》1993年第6期655-658,共4页韦亚一 陶兆民 
本文从理论上分析了MCP对输出信号信噪比的影响,推导了噪声因子的表达式,作了相应的数值计算。根据计算结果指出了降低MCP噪声因子的有效途径。
关键词：MCP 信噪比 噪声因子 电子倍增器 
一种新的高增益MCP的设想
《光电子技术》1992年第4期319-323,共5页韦亚一 陶兆民 
本文从理论上提出了一种高增益 MCP 的设想,即在现有的 MCP 通道内壁蒸镀上一层对本工作区域比较敏感的材料,使 MCP 的发射层与电子补充层从几何位置上分开。为了实现这一结构,本文提出了一些方法,供国内 MCP 研制与生产单位参考。从理...
关键词：MCP 增益 蒸镀 电子倍增器 
MCP自饱和效应理论分析
《应用光学》1992年第6期14-17,共4页韦亚一 陶兆民 
从理论上分析MCP自饱和效应产生的原因,以及自饱和效应对MCP工作性能的影响,提出克服自饱和效应的办法。
关键词：微通道板 自饱和效应 电子 
微通道板增益衰减的理论分析被引量：3
《光电子技术》1992年第1期59-64,共6页陶兆民 韦亚一 
本文根据作者已有的实验数据和在前人工作的基础上,分析了导致微通道板经电子轰击后增益大幅度下降的原因.并据此对照国外同类产品剖析了目前国内微通道板生产中影响增益的几个因素,提出相应的改进意见.
关键词：微通道板 增益衰减 电子储增器 
微通道板次级电子发射层中各元素随深度的分布被引量：2
《真空科学与技术学报》1991年第6期384-387,共4页韦亚一 陶兆民 
本文应用XPS研究微通道板次级电子发射层中各元素浓度随深度的分布,以及不同烧氢还原温度对此分布的影响,并讨论了不同烧氢还原温度对次级电子发射性能的影响,在此基础上提出了改进微通道板性能的几个途径。
关键词：微通道板 XPS(X光电子能谱) 烧氢还原 元素深度分布 次级电子发射体 
Ti-Ta吸气丝的SIMS分析被引量：1
《光电子技术》1991年第1期35-37,共3页邓金祥 夏长虹 陶兆民 余镇江 杨得全 张韶红 
本文给出两种Ti-Ta吸气丝的SIMS分析,比较其结果,对其吸气性能的差异予以讨论,指出其中一种Ti-Ta吸气丝吸气性能差的原因。
关键词：Ti-Ta 吸气剂 吸气材料 SIMS分析 
GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶体表面碳污染的去除
《电子科学学刊》1989年第1期107-112,共6页陶兆民 夏长虹 潘晓丹 潘峡 
中国科学院自然科学基金
本文以UV/O_3法去除GaAs,GaP,InP,GaInAs,OaInPAs晶体表面碳的污染,实验给出不同的结果并给予解释。
关键词：晶体表面 碳污染 UV/O3法 AES 
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