SIMS分析

作品数：25被引量：11H指数：1
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SON68玻璃固化体腐蚀层SIMS分析的模型计算被引量：1
《中国原子能科学研究院年报》2010年第1期282-282,共1页张华 Marc Aertsens Pierre Van Iseghem 
采用SIMS分析表面腐蚀层元素浓度分布的玻璃固化体样品进行模拟计算,通过模拟计算分析SIMS实验数据,获得玻璃固化体腐蚀过程中主要元素在玻璃腐蚀层的分配系数。根据玻璃固化体腐蚀实验分析结果获得的玻璃腐蚀层元素含量变化的规律（图1...
关键词：SIMS分析 玻璃固化体 模拟计算 计算模型 腐蚀层 浓度分布 实验数据 分配系数 
Study on Particle Transfer for SEM-SIMS Analysis
《Annual Report of China Institute of Atomic Energy》2010年第1期208-209,共2页ZHANG Yan, SHEN Yan, WANG Tong-xing, ZHAO Yong-gang 
Isotope ratio analysis of individual particles is increasingly important in the field of nuclear safeguards. Individual uranium particles in environmental samples taken at nuclear facilities are measured to reveal the...
关键词：SIMS分析 子转移 颗粒测量 环境样品 同位素 核保障 核设施 扫描型 
Fitting of SIMS Profiles of Glasses SON68 Altered in Corrosion Clay
《Annual Report of China Institute of Atomic Energy》2010年第1期214-215,共2页Marc Aertsens Pierre Van Iseghem 
Several SON68 glass samples’ altered layers were analyzed by SIMS after a leaching duration in corrosion clay. According to the results of SIMS analysis, the diffusion coefficients of the main elements in the altered...
关键词：SIMS分析 粘土 拟合 腐蚀 眼镜 玻璃样品 扩散系数 变质层 
硅中磷的SIMS分析被引量：5
《现代仪器》2010年第3期32-33,共2页何友琴 马农农 王东雪 
本文采用相对灵敏度因子法,对硅中磷含量的SIMS定量分析方法进行研究。并通过提高质量分辨率的方法降低背景,使磷的检测限达到1.0×10^(14) atoms/cm^3,进而成为高纯硅样品中磷杂质含量的最可行的检测手段。
关键词：硅 二次离子质谱 相对灵敏度因子 磷 质量分辨率 
Mg在GaP材料中掺杂行为的SIMS分析
《质谱学报》2000年第3期133-134,共2页李越生 方培源 宗祥福 
Mg of Gap doping characteristics in MOCVD have been studied by using SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry) measurement. The experimental results show that the Mg incorporation is considered to be limited by Mg revapo...
关键词：磷化镓半导体材料 镁 掺杂 SIMS分析 
CO毒化LaNi_(4.7)Al_(0.3)贮氢合金的SIMS分析
《金属学报》2000年第3期251-253,共3页桑革 涂铭旌 李全安 闫康平 宁永功 陈云贵 唐定骧 
四川省计委重点攻关项目和中国工程物理研究院院外基金项目
应用ＳＩＭＳ方法对ＬａＮｉ４．７Ａｌ０．３贮氢合金被 ＣＯ毒化前后的表面进行了分析，结果表明： ＬａＮｉ４．７Ａｌ０．３贮氢合金毒化前 Ｃ， Ｏ峰不明显，毒化后 Ｏ峰明显增高， Ｃ峰明显出现毒化后生成了 Ｌａ－Ｃ， Ｌａ－Ｃ...
关键词：贮氢合金 表面分析 毒化 一氧化碳 
SIMOX材料注F^+后的SIMS分析被引量：1
《半导体技术》1999年第5期34-35,共2页曾健 高剑侠 
实验中采用三种剂量注入ＳＩＭＯＸ （注氧隔离硅） 材料中， 注入剂量分别为５×１０１２Ｆ＋ ／ｃｍ ２，５×１０１３Ｆ＋ ／ｃｍ ２， １×１０１５Ｆ＋ ／ｃｍ ２， 用ＳＩＭＳ技术分析了Ｆ在材料中的浓度分布， 结果表明， 随着...
关键词：F离子注入 SIMOX材料 SIMS分析 抗辐射 
LAS2000谱仪计算机控制与数据采集
《中国核科技报告》1998年第S3期45-46,共2页李波 李立 王明旭 
LAS2000谱仪是80年代由法国引进的二次离子质谱仪(SIMS),利用该装置对HL-1、HL-1M装置等离子体与壁相互作用(PWI)、壁材料及原位涂层的真空性能和等离子体辐照性能进行了大量研究。LAS2000谱仪原配备的PDP-11/23PLUS型小型计算机已损坏...
关键词：硬件管理 线性升温 SIMS分析 
AeGaInN半导体的分析
《真空科学与技术》1998年第A12期87-91,共5页Chu.,PK 
关键词：第Ⅲ族 半导体 氮化物 SIMS分析 MOCVD MBE 
氧在GaAs／GaInP／AlGaInP中的SIMS分析
《真空科学与技术》1998年第A12期116-120,共5页陈春华 王佐祥 
用ＳＩＭＳ对用于可见光激光器研制的ＧａＡｓ／ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ材料系统进行了测试分析。适当选择质量特征峰，不仅清晰地展示出这种材料系统的结构，而且对非有意掺入的有害杂质氧进行监测，及时发现了工艺系统中的气和源...
关键词：SIMS分析 砷化镓 结构材料 氧含量 镓铟磷 
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