制备FeRAM的新材料  

作　　者：邓志杰（摘译） 

出　　处：《现代材料动态》2007年第1期5-5,共1页Information of Advanced Materials

摘　　要：东京理工学院和富士通公司联合开发成功一种制备新一代非易失铁电随机存取存储器（FeRAM）用的新材料。该材料是经调整组分的铁氧体铋化合物（BiFeO3，BFO），它的数据存储密度比现在FeRAM产品中的所用材料增加5倍。

关 键 词：FERAM 新材料 铁电随机存取存储器 富士通公司 铋化合物 数据存储 铁氧体 

分 类 号：TB3[一般工业技术—材料科学与工程]