标准CMOS技术实现场氧微桥、悬浮薄膜  

作　　者：孙国梁 

出　　处：《电子器件》1990年第2期44-44,共1页Chinese Journal of Electron Devices

摘　　要：我们发现在标准CMOS工艺中有许多工艺可应用到微机械结构的制造中去.仅仅增加一步无需掩膜的KOH腐蚀工艺,用工业化3微米CMOS工艺(加拿大北方电讯电子有限公司提供)实现了许多微型桥、悬浮薄膜和螺旋弹簧微机械结构.

关 键 词：CMOS技术 微机械结构 工艺 薄膜 

分 类 号：TN305.1[电子电信—物理电子学]